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4XB7A17205 - 4XB7A17087 3.5" 480 Go Série ATA III 3D TLC NAND
Ref : 4XB7A17205543,38 €
HTVA
Lenovo ThinkSystem 5300 Entry - Disque SSD - chiffré - 480 Go - interne - 3.5" - SATA 6Gb/s - AES 256 bits - Self-Encrypting Drive (SED) - pour ThinkSystem ST50 7Y48
Points Clés
- 6 Gbps SATA host interface
- Absence of moving parts to reduce potential failure points in the server
- Advanced Encrypting Standard (AES) 256-bit encryption
- High reliability and enhanced ruggedness
- Industry standard 2.5-inch or 3.5-inch form factors
- MTTF of 3 million device hours - 50% more than most drives
- New generation 96-layer 3D TLC NAND flash memory
- S.M.A.R.T. support
Points Clés
- 6 Gbps SATA host interface
- Absence of moving parts to reduce potential failure points in the server
- Advanced Encrypting Standard (AES) 256-bit encryption
- High reliability and enhanced ruggedness
- Industry standard 2.5-inch or 3.5-inch form factors
- MTTF of 3 million device hours - 50% more than most drives
- New generation 96-layer 3D TLC NAND flash memory
- S.M.A.R.T. support
- Absence of moving parts to reduce potential failure points in the server
- Advanced Encrypting Standard (AES) 256-bit encryption
- High reliability and enhanced ruggedness
- Industry standard 2.5-inch or 3.5-inch form factors
- MTTF of 3 million device hours - 50% more than most drives
- New generation 96-layer 3D TLC NAND flash memory
- S.M.A.R.T. support
4XB7A17087 3.5" 480 Go Série ATA III 3D TLC NAND
4XB7A17205Lenovo 4XB7A17087. Capacité du Solid State Drive (SSD): 480 Go, Facteur de forme SSD: 3.5", Vitesse de lecture: 540 Mo/s, Vitesse d'écriture: 410 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: Serveur/Station de travail
| Caractéristiques | |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 480 Go |
| composant pour | Serveur/Station de travail |
| Échange à chaud | Non |
| Écriture aléatoire (4KB) | 36000 IOPS |
| Facteur de forme SSD | 3.5" |
| Interface | Série ATA III |
| Latence en écriture | 100 µs |
| Latence en lecture | 175 µs |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Lecture aléatoire (4KB) | 85000 IOPS |
| NVMe | Non |
| Taux de transfert des données | 6 Gbit/s |
| Temps moyen entre pannes | 3000000 h |
| Type de mémoire | 3D TLC NAND |
| Vitesse d'écriture | 410 Mo/s |
| Vitesse de lecture | 540 Mo/s |
| Conditions environnementales | |
| Humidité relative de fonctionnement (H-H) | 5 - 95% |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Température hors fonctionnement | -40 - 85 °C |
| Détails techniques | |
| Certificats de durabilité | RoHS |
| Puissance | |
| Consommation électrique (Ecriture) | 3,1 W |
| Consommation électrique (Lecture) | 2,5 W |