Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

MZ-V9E2T0BW - Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

Ref : MZ-V9E2T0BW
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SKU
MZ-V9E2T0BW
Marque
Samsung
Catégorie
Disques SSD

Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
MZ-V9E2T0BW
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
Caractéristiques
Facteur de forme SSDM.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)2 To
InterfacePCI Express 4.0
Type de mémoireV-NAND TLC
NVMeOui
composant pourUniversel
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Vitesse de lecture5000 Mo/s
Vitesse d'écriture4200 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Révision CEM PCI Express4.0
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Classe TBW1200
Puissance
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique (Lecture)5,5 W
Consommation électrique (Ecriture)4,7 W
Consommation d 'énergie (en mode veille)0,005 W
Consommation électrique (idle)0,06 W
Conditions environnementales
Température d'opération0 - 70 °C
Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H)5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement20 G
Choc hors fonctionnement1500 G
Détails techniques
Période de garantie5 année(s)
Poids et dimensions
Largeur80,2 mm
Profondeur22,1 mm
Hauteur2,38 mm
Poids9 g
Informations sur l'emballage
Type d'emballageBoîte